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三星在美國(guó)建第二座晶圓廠事宜敲定

來(lái)源: | 發(fā)布日期:2021-11-24 瀏覽量:

據(jù)外媒報(bào)道稱,三星電子周二正式宣布,將投資170億美元在美國(guó)德州興建先進(jìn)制程的晶圓廠,強(qiáng)化美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)。新廠地址選定為德克薩斯洲泰勒市,據(jù)了解,為了吸引三星建廠,泰勒市將在十年內(nèi)提供三星相當(dāng)于減稅92.5%的物業(yè)稅優(yōu)惠,接下來(lái)數(shù)十年優(yōu)惠將遞減。三星另將拿到其他的稅負(fù)優(yōu)惠。

三星-奧斯汀-晶圓廠-芯片

三星電子這座新晶圓廠將落腳離奧斯汀48公里遠(yuǎn)的泰勒市。在奧斯汀,三星已設(shè)有晶圓廠區(qū),員工逾3,000人。新廠將于明年上半年開始動(dòng)工,預(yù)計(jì)2024年開始投產(chǎn)。

但值得注意的是,三星此舉也與臺(tái)積電較勁的意味。三星選定德州設(shè)立新廠,且預(yù)定投資170億美元,金額高于臺(tái)積電在亞利桑那州的120億美元投資額,無(wú)疑是要大量投注在先進(jìn)制程技術(shù),以縮短與臺(tái)積電差距。

依據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,美國(guó)亞利那桑廠將提供5奈米制程服務(wù),3奈米制程則在臺(tái)灣接單生產(chǎn)。但稍早臺(tái)積電總裁魏哲家在法說(shuō)會(huì),不排除在美國(guó)興建第二座晶圓廠,市場(chǎng)推測(cè),臺(tái)積電已預(yù)留將制程推進(jìn)至3奈米的伏筆。不過(guò),臺(tái)積電表示,不對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手發(fā)展及美國(guó)廠技術(shù)布局做任評(píng)論,一切以公告為準(zhǔn)。

三星先進(jìn)制程的初期良率可能約在30%到40%,臺(tái)積電則可以到60%到70%。到大量生產(chǎn)階段,三星的良率也會(huì)低于臺(tái)積電。要大幅縮短目前與臺(tái)積電的差距不是簡(jiǎn)單的事。

不論三星這項(xiàng)新建案或臺(tái)積電120億美元的亞利桑那州廠投資案,都不太可能在短期內(nèi)解決缺貨的問題。不過(guò),這兩起投資案可引吸零件供應(yīng)商跟進(jìn)設(shè)廠,為以美國(guó)為中心的芯片生態(tài)系奠定根基。  





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