意法半導(dǎo)體7月27日在官微發(fā)布公告稱，ST位于瑞典北雪平的工廠已經(jīng)制造出了首批8英寸SiC晶圓片，而下一代電力電子芯片產(chǎn)品，將用這批8英寸晶圓作為原材料。

ST表示，此次SiC晶圓升級到8英寸，標(biāo)志著產(chǎn)能的擴(kuò)大，已經(jīng)能夠支持汽車和工業(yè)市場的需求，也標(biāo)志著此前擬定的“實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化”的計(jì)劃取得階段性的突破。

據(jù)消息表示，這批SiC晶圓的質(zhì)量卓越，良品率高，晶體位錯(cuò)的缺陷率影響非常少。除了要能夠滿足嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)外，SiC晶圓升級到8英寸還需對制造設(shè)備和整體生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行升級更換。據(jù)消息透露，ST目前正在積極與上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。

據(jù)ST官微揭露，目前ST量產(chǎn)的先進(jìn)碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC是由意大利和新加坡的兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，而后工序制造是在中國深圳和摩洛哥的兩家封測廠完成的。這個(gè)階段性的突破是意法半導(dǎo)體布局更先進(jìn)的、高成本效益的200mm晶圓量產(chǎn)計(jì)劃的組成部分。